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MADRID, 17 (Portaltic/EP)
Samsung ha anunciado la primera memoria RAM de acceso dinámico (DRAM) basada en la tecnología LPDDR5, que alcanza ocho gigabits de velocidad de transmisión de datos, y que se adapta aplicaciones basadas en la Inteligencia Artificial y la tecnología 5G.
La nueva memoria móvil de Samsung se basa en una arquitectura de diez nanómetros, con una velocidad de datos de 6.400 megabits por segundo, 1,5 veces más potente que los chips DRAM integrados hoy en día en los 'smartphones', como ha explicado Samsung a través de un comunicado.
LPDDR5 DRAM ha doblado el número de bancos de memoria de las células DRAM de ocho a 16 con el objetivo de maximizar la potencia de los dispositivos en los que esté integrado, para conseguir un funcionamiento más rápido y un consumo menor, y así adaptarse a la llegada del 5G y soportar mejor la IA.
El vicepresidente senior de Planificación de Memoria de Productos e Ingeniería de Aplicaciones en Samsung Electronics Jinman Han considera que "este desarrollo del LPDDR5 de 8GB representa un paso hacia delante para soluciones de memorias de baja potencia".
La nueva memoria de Samsung es capaz de reducir el voltaje utilizado en función de la velocidad de procesador demandada por una aplicación. Además, integra un modo de baja potencia que reduce el consumo de energía a la mitad que las actuales memorias dinánicas LPDDR4X. En total, consigue una reducción del consumo de hasta un 30% y porolonga la vida útil de la batería.
Al maximizar la potencia, este procesador puede soportar aplicaciones basadas en la Inteligencia Artificial y de aprendizaje, así como aplicaciones 5G y ser compatible con UHD. Esta memoria permite la transferencia de hasta 51,2 gigabytes de datos por segundo.
LPDDR5 DRAM estará disponible en dos anchos de banda distintos, 6.400 megabites por segundo a 1,1 de voltaje operativo y a 5.500 MB/s a 1,05 V. Samsung planea comenzar con la producción en masa de estos chips próximamente tras haber completado los procesos de prueba y validación del procesador.
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