Los chips de memoria de silicio se dividen en dos grandes tipos: la memoria volátil, como la RAM del ordenador, que no acumula datos cuando está apagada; y la flash no volátil, que almacenan información incluso después de que se apagan los 'smartphones'.

En general, las memorias volátiles son mucho más rápidas que las no volátiles, por lo que los ingenieros, a menudo, equilibran la velocidad y la retención. Es por eso que el almacenamiento flash, más lento, se utiliza para el almacenamiento permanente, mientras que el RAM funciona con los procesadores para almacenar datos durante los cálculos porque opera a velocidades medidas en nanosegundos, o millonésimas de segundo.

La investigación se la Universidad de Stanford ahora publicada, en 'Physical Review letters', muestra la posibilidad de alcanzar una tecnología de memoria basada en una nueva clase de materiales semiconductores que podrían dar lo mejor de ambos mundos: el almacenamiento de datos de forma permanente al tiempo que permite ciertas operaciones que se producen hasta mil veces más rápido que los dispositivos de memoria de hoy en día. Este nuevo enfoque también podría ser más eficiente en energía.

"Este trabajo es fundamental, pero prometedor. Un aumento de mil veces en la velocidad, junto con el uso de energía más baja sugiere un camino hacia futuras tecnologías de memoria que ahora podría superar a cualquier cosa previamente demostrada", ha señalado el autor principal del trabajo, Aaron Lindenberg.

La actual fase de chips de memoria se basa en tecnologías de silicio que se encienden de manera eficiente, con flujos de electrones dentro y fuera. Sin embargo, los investigadores continúan la búsqueda de nuevos materiales y procesos que utilizan menos energía y requieren menos espacio que las soluciones de silicio.

Los científicos saben desde hace tiempo que ciertos materiales tienen estructuras atómicas flexibles que ofrecen interesantes posibilidades electrónicas. Por ejemplo, materiales en los que puden existir dos estructuras atómicas diferentes, cada una de los cuales tiene un estado electrónico diferente. Una estructura atómica cristalina u ordenada, permite el flujo de electrones, mientras que un amorfa o desordenada, inhibe las corrientes de electrones, según han explicado los expertos.

En el trabajo, los investigadores han estudiado los estados estructurales y electrónicos de distintos materiales mediante la aplicación de breves ráfagas de calor, suministrados eléctrica u ópticamente. Según apuntan, los materiales con cambio de fase son atractivos como una tecnología de memoria, ya que conservan el estado electrónico y se ajustan a su estructura.